参数资料
| 型号： | ISL6551IR-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 5/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR FLYBACK PWM 28-QFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 6 |
| 频率 - 最大： | 1MHz |
| 占空比： | 50% |
| 电源电压： | 10.8 V ~ 13.2 V |
| 降压： | 无 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 是 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-VQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL6551
Absolute Maximum Ratings
Supply Voltage VDD, VDDP1, VDDP2 . . . . . . . . . . . . . . -0.3 to 16V
Enable Inputs (ON/OFF, LATSD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDD
Power Good Sink Current (I DCOK ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA
ESD Rating
Human Body Model (Per MIL-STD-883 Method 3015.7) . . . . .3kV
Machine Model (Per EIAJ ED-4701 Method C-111) . . . . . . . .250V
Recommended Operating Conditions
Thermal Information
Thermal Resistance θ JA (°C/W) θ JC (°C/W)
QFN Package (Notes 1, 3). . . . . . . . . . 30 2.5
SOIC Package (Note 2) . . . . . . . . . . . . 55 N/A
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . . . . . . . 150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . -65°C to 150°C
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . . 300°C
(SOIC Lead Tips Only)
Ambient Temperature Range
ISL6551IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to 85°C
ISL6551AB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to 105°C
Supply Voltage Range, VDD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.8V to 13.2V
Supply Voltage Range, VDDP1 & VDDP2 . . . . . . . . . . . . . . . <13.2V
Maximum Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . 125°C
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
NOTES:
1. θ JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See
Tech Brief TB379 for details.
2. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.
3. For θ JC , the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
Electrical Specifications
These specifications apply for VDD = VDDP = 12V and T A = 0°C to 85°C (ISL6551IB) or -40°C to 105°C
(ISL6551AB), Unless Otherwise Stated
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
SUPPLY (VDD, VDDP1, VDDP2)
Supply Voltage
VDD
10.8
12.0
13.2
V
Bias Current from VDD (ISL6551IB)
Bias Current from VDD (ISL6551AB)
Total Current from VDD and VDDP
IDD
IDD
ICC
VDD = 12V (not including drivers current at VDDP)
VDD = 12V (not including drivers current at VDDP)
VDD = VDDP = 12V, F = 1MHz, 1.6nF Load
5
3
13
60
18
20
mA
mA
mA
UNDER VOLTAGE LOCKOUT (UVLO)
Start Threshold (ISL6551IB)
Start Threshold (ISL6551AB)
Stop Threshold (ISL6551IB)
Stop Threshold (ISL6551AB)
Hysteresis (ISL6551IB)
Hysteresis (ISL6551AB)
VDD ON
VDD ON
VDD OFF
VDD OFF
VDD HYS
VDD HYS
9.2
9.16
8.03
7.98
0.3
0.27
9.6
8.6
1
9.9
9.94
8.87
8.92
1.9
1.93
V
V
V
V
V
V
CLOCK GENERATOR (CT, RD)
Frequency Range
Dead Time Pulse Width (Note 4)
F
DT
VDD = 12V (Figure 2)
VDD = 12V (Figure 3)
100
50
1000
1000
kHz
ns
BANDGAP REFERENCE (BGREF)
Bandgap Reference Voltage
VREF
VDD = 12V, 399k ? pull-up, 0.1 μ F, after trimming
1.250
1.263
1.280
V
(ISL6551IB)
Bandgap Reference Voltage
VREF
VDD = 12V, 399k ? pull-up, 0.1 μ F, after trimming
1.244
1.263
1.287
V
(ISL6551AB)
Bandgap Reference Output Current
IREF
100
μ A
for details
5
FN9066.5
January 3, 2006
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PDF描述 |
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