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参数资料
| 型号： | ISL8510IRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG DL BUCK/LINEAR 24-QFN |
| 标准包装： | 6,000 |
| 拓扑： | 降压（降压）（1），线性（LDO）（1） |
| 功能： | 任何功能 |
| 输出数： | 2 |
| 频率 - 开关： | 500kHz |
| 电压/电流 - 输出 1： | 0.6 V ~ 20 V，1A |
| 电压/电流 - 输出 2： | 0.6 V ~ 4.2 V，500mA |
| 带 LED 驱动器： | 无 |
| 带监控器： | 无 |
| 带序列发生器： | 无 |
| 电源电压： | 5V，5.5 V ~ 25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 24-QFN（4x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL8510
Electrical Specifications
Unless Otherwise Noted, Typical Specifications are Measured at the Following Conditions: T A = +25°C,
V IN = 6V to 25V. Parameters with MIN and/or MAX limits are 100% tested at +25°C, unless otherwise specified.
Temperature limits established by characterization and are not production tested. (Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
ENABLE SECTION
EN_PWM Threshold
Rising Edge
1.2
1.7
2.2
V
Hysteresis
350
mV
EN_LDO Logic Input Threshold
Rising Edge
1.2
1.7
2.2
V
Hysteresis
400
mV
EN_LDO Logic Input Current
-1
1
μA
FAULT PROTECTION
Thermal Shutdown Temperature
T SD
T HYS
Rising Threshold
Hysteresis
150
15
°C
°C
PWM UV Trip Level
V UV
Referred to Nominal VOUT
65
70
75
%
PWM UVP Propagation Delay
360
ns
PWM OCP Threshold
(Note 5)
1.85
2.70
3.00
A
OCP Blanking Time
POWER-GOOD
150
ns
PG_PWM Trip Level Referred to Nominal
VOUT
Falling Edge, 15mV Hysteresis
Rising Edge, 15mV Hysteresis
84
107
88
110
92
113
%
%
PG_PWM and PG_LDO Propagation Delay
160
ns
PG_PWM Low Voltage
ISINK = 4mA
0.3
V
PG_PWM Leakage Current
V PG_PWM = 5.5V, V FB_PWM = 0.6V
-1
1
μA
PG_LDO Trip Level Referred to Nominal
Lower Level, Falling Edge, 15mV Hysteresis
81
85
88
%
VOUT
PG_LDO Low Voltage
ISINK = 4mA
0.3
V
PG_LDO Leakage Current
V PG_LDO = 5V, V FB_LDO = 600mV
-1
1
μA
SOFT-START SECTION
Soft-Start Threshold
Soft-Start Threshold to Enable PG
Soft-Start Voltage High
Soft-Start Charging Current
Soft-Start Pull-down
V SS = 3.0V
0.8
2.8
25
1.0
2.95
3.3
30
25
1.2
3.1
35
V
V
V
μA
mA
POWER MOSFET
r DS(ON)
I OUT = 100mA
120
350
m Ω
LDO
FB_LDO Voltage Accuracy
FB Leakage Current
I OUT = 10mA
V FB = 0V
-1.5
-200
-80
1.5
%
nA
Output Current Limit
Dropout Voltage
I OUT = 450mA, V OUT >2V (Note 6)
550
800
150
1000
300
mA
mV
FB_LDO Line Regulation
FB_LDO Load Regulation
I OUT = 0mA, VIN_LDO = 2.0V ~ 4.6V
I OUT = 10mA to 500mA
-0.6
±0.5
0.6
%/V
%
NOTES:
4. Test Condition: V IN = 15V, FB forced above regulation point (0.6V), no switching, and power MOSFET gate charging current not included.
5. Limits established by characterization and are not production tested.
6. The dropout voltage is defined as minimum amount V IN must exceed a desired V OUT operating point. V LDO = V IN_LDO - V OUT .
7. The input voltage V CC must be higher than V IN_LDO or the LDO will not function.
7
FN6516.2
December 15, 2008
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