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参数资料
| 型号： | ISL9R18120G2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 1809K |
| 描述： | DIODE STEALTH 1200V 18A TO247-2 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | Stealth™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 18A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 3.3V @ 18A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 70ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-2 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics TC
= 25
°C unless otherwise noted
Off State Characteristics
On State Characteristics
Dynamic Characteristics
Switching Characteristics
Thermal Characteristics
Top Mark
Part Number
Package
Tape Width
Quantity
R18120G2
ISL9R18120G2
TO-247
N/A
30
R18120P2
ISL9R18120P2
TO-220AC
N/A
50
R18120S3
ISL9R18120S3S
TO-263AB
24mm
800
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max
Unit
IR
Instantaneous Reverse Current
VR
= 1200
V
TC
= 25
°C - - 100 μA
TC
= 125
°C--1.0mA
VF
Instantaneous Forward Voltage
IF = 18
A
TC
= 25
°C-2.73.3V
TC
= 125
°C-2.53.1V
CJ
Junction Capacitance
VR = 10
V,
I
F
= 0
A
- 69 - pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 1
A,
dI
F/dt
=
100
A/μs,
V
R
= 30
V
- 38 45 ns
IF
= 18
A,
dI
F/dt
=
100
A/μs,
V
R
= 30
V
-
60 70 ns
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 18
A,
dIF/dt
= 200
A/μs,
VR
= 780
V,
T
C
= 25°C
- 300 - ns
Irr
Reverse Recovery
C
urrent
- 6.5 - A
Qrr
Reverse Recovered Charge
- 950 - nC
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 18
A,
)-dIF/dt
= 200
A/μs,
7.0--
C
urrent
VR
= 780
V,
- 8.0 - A
TC
= 125°C
- 400 - ns
S Softness Factor (tb/ta
Irr
Reverse Recovery
Qrr
Reverse Recovered Charge
- 2.0 - μC
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 18
A,
)-dIF/dt
= 1000
A/μs,
5.2--
C
urrent
VR
= 780
V,
- 22 - A
TC
= 125°C
- 235 - ns
S Softness Factor (tb/ta
Irr
Reverse Recovery
Qrr
Reverse Recovered Charge
- 2.1 - μC
dIM/dt Maximum di/dt during tb
- 370 - A/μs
RθJC
Thermal Resistance Junction to Case TO-247, TO-220, TO-263
- - 1.0
°C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-247
- - 30
°C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220, TO-263
- - 62
°C/W
ISL9R18120G2
,
ISL9R18120P2
,
I
SL9R18120S3S
— STEALTH? Diode
?2002
Fairchild
Semiconductor Corporation
ISL9R18120G2, ISL9R18120P2,
ISL9R18120S3S
Rev.
C2
www.fairchildsemi.com
2
Packing Mathod
Tube
Tube
Reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9R30120G2 | DIODE STEALTH 1200V 30A TO247-2 |
| ISL9R3060G2 | DIODE STEALTH 600V 30A TO247-2 |
| ISL9R460PF2 | DIODE STEALTH 600V 4A TO-220AC |
| ISL9R8120P2 | 8 AMP 1200V STEALTH DIODE |
| ISL9R860PF2 | DIODE STEALTH 600V 8A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL9R18120G2_Q | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R18120P2 | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R18120P2_Q | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R18120S3ST | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ISL9R18120S3ST_Q | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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