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参数资料
| 型号： | IXA611S3T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRDG 600MA 16-SOI |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 120ns |
| 电流 - 峰： | 600mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 650V |
| 电源电压： | 10 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXA611
Figure 2 - IXA611 Functional Block Diagram
Pin Description And Configuration
SYMBOL
VDD
HIN
LIN
ENB
DG
VCH
HGO
HS
VCL
LGO
LS
FUNCTION
Logic Supply
HS Input
LS Input
Enable
Ground
Supply Voltage
Output
Return
Supply Voltage
Output
Ground
DESCRIPTION
Positive power supply for the chip CMOS functions
High side Input signal, TTL or CMOS compatible; HGO in phase
Low side Input signal, TTL or CMOS compatible; LGO in phase
Chip enable. When driven high, both outputs go low.
Logic Reference Ground
High Side Power Supply
High side driver output
High side voltage return pin
Low side power supply. This power supply provides power for
both outputs. Voltage range is from 4.5 to 25V.
Low side driver output
Low side return
IXYS ICs are covered by US Patent No. 6,759,692
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXBD4410PI | IC LOW SIDE DRIVER 16DIP |
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| IXDD408YI | IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-263 |
| IXDD414SI | IC MOSFET DRVR 14A LOSIDE 14SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXA70I1200NA | 功能描述:IGBT 模块 XPT Single IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXA90IF650NA | 功能描述:IGBT 模块 XPT Single IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXAN0069 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:DC to DC Synchronous Converter Design |
| IXB200I600NA | 功能描述:MOSFET XPT Single IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXB611P1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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