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参数资料
| 型号： | IXA611S3T/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRDG 600MA 16-SOI |
| 标准包装： | 1,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 120ns |
| 电流 - 峰： | 600mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 650V |
| 电源电压： | 10 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXA611
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V CH
V HS
V HGO
V CL
V LGO
V DD
V DG
V IN
dV S /dt
P D
P D
R THJA
R THJc
Definition
High side floating supply voltage
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic supply voltage
Logic supply offset voltage
Logic input voltage(HIN & LIN)
Allowable offset supply voltage transient
Package power dissipation@ T A ≤ 25C
Package power dissipation@ T C ≤ 25C
Thermal resistance, junction-to-ambient
Thermal resistance, junction-to-case
Min
-25
V CH -200
V HS -.3
-0.3
-0.3
-0.3
V LS -3.8
V SS -.3
Max
650
V CH +.3
V CH +.3
35
V CL +.3
V DG +35
V LS +3.8
V DD +.3
50
1
2.1
125
60
Units
V
V
V
V
V
V
V
V
V/ns
W
W
K/W
K/W
T J
Junction Temperature
150
o
C
T S
T L
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 s)
-55
150
300
o
o
C
C
Recommended Operating Conditions
Symbol
Definition
Min
Max
Units
V CH
High side floating supply absolute voltage V HS +10
V HS +20
V
V HS
V HGO
V CL
V LGO
V DD
V DG
V IN
High side floating supply offset voltage
High side floating output voltage
Low side fixed supply voltage
Low side output voltage
Logic supply voltage
Logic supply voffset voltage
Logic input voltage(HIN, LIN, ENbar)
-20
V HS
10
0
V DG +3
V LS -1
V DG
650
V CH +20
20
V CC
V DG +20
V LS +1
V DD
V
V
V
V
V
V
V
T A
Ambient Temperature
-40
125
o
C
Ordering Information
Part Number
IXA611P7
IXA611S3
Package Type
14-PIN DIP
16-PIN SOIC
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXBD4410PI | IC LOW SIDE DRIVER 16DIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXA70I1200NA | 功能描述:IGBT 模块 XPT Single IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXA90IF650NA | 功能描述:IGBT 模块 XPT Single IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| IXAN0069 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:DC to DC Synchronous Converter Design |
| IXB200I600NA | 功能描述:MOSFET XPT Single IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXB611P1 | 功能描述:IC DRIVER HALF BRDG 600MA 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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