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参数资料
| 型号： | IXDD614PI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DVR ULT FAST 14A 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 50ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA357 IXDD614PI-ND |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.7 Thermal Characteristics
IXD_614
Package
Parameter
Symbol
Rating
Units
CI (5-Pin TO-220)
36
PI (8-Pin DIP)
SI (8-Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
? JA
125
85
°C/W
YI (5-Pin TO-263)
CI (5-Pin TO-220)
46
3
SI (8-Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
? JC
10
°C/W
YI (5-Pin TO-263)
2 Performance
2.1 Timing Diagrams
V IH
V IH
2
I N
V IL
I N
V IL
t O N DELAY
t OFFDELAY
t OFFDELAY
t O N DELAY
90%
OUT
10%
OUT
90%
10%
t R
t F
t F
t R
2.2 Characteristics Test Diagram
0.1 μ F
10 μ F
+
V CC
-
V I N
V CC
I N
E N
V CC
G N D
OUT
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
6
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSC05DRTN-S93 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
| EEV-HA0J101WR | CAP ALUM 100UF 6.3V 20% SMD |
| AS1115 DB-WHITE | BOARD DEMO AS1115 WHITE |
| 0210490132 | CABLE JUMPER 1.25MM .127M 8POS |
| V375C28C75BG2 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDD614SI | 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDD614SITR | 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDD614YI | 功能描述:IC LOW SIDE DRIVER 14A TO263-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘，4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?（1.2x1.6） 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1 |
| IXDD630CI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD630MCI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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