参数资料
型号: IXDD614PI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 8/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DVR ULT FAST 14A 8-DIP
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 50ns
电流 - 峰: 14A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
其它名称: CLA357
IXDD614PI-ND
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
4 Typical Performance Characteristics
IXD_614
Rise Time vs. Supply Volta g e
Fall Time vs. Supply Volta g e
Rise & Fall Time vs. Temperature
8 0
70
60
50
40
30
20
(V IN =0-5V, f=10kHz, T A =25oC)
C L =15nF
C L =7.5nF
C L =3.6nF
60
50
40
30
20
(V IN =0V-5V, f=10kHz, T A =25oC)
C L =15nF
C L =7.5nF
C L =3.6nF
15
14
13
12
11
10
9
8
(V IN =0-5V, f=10kHz, C L =3.6nF, V CC =18V)
t R
t F
10
10
7
6
0
0
5
10
15 20 25 30
35
40
0
0
5
10
15 20 25 30
35
40
5
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Supply Volta g e (V)
Supply Volta g e (V)
Rise Time vs. Load Capacitance
Fall Time vs. Load Capacitance
Temperature (oC)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V CC =4.5 V
V CC = 8V
V CC =12 V
V CC =1 8V
V CC =25 V
V CC =30 V
V CC =35 V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V CC =4.5 V
V CC = 8V
V CC =12 V
V CC =1 8V
V CC =25 V
V CC =30 V
V CC =35 V
2
4
6
8
10 12
14
16
2
4
6
8
10 12
14
16
Load Capacitance (nF)
Load Capacitance (nF)
Propo g ation Delay
Propa g ation Delay vs. Supply Volta g e
Propa g ation Delay vs. Input Volta g e
vs. Junction Temperature
250
(V IN =0-5V, f=1kHz, C L =15nF)
160
(V IN =0-5V, f=1kHz, C L =15nF, V CC =12V)
70
(V IN =0-5V, f=1kHz, C L =15nF, V CC =18V)
t OFFDLY
200
t OFFDLY
140
65
150
120
60
t O N DLY
100
50
0
t O N DLY
100
8 0
60
40
t OFFDLY
t O N DLY
55
50
45
40
0
5
10
15 20 25 30
35
40
2
4
6
8
10
12
14
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Supply Volta g e (V)
Input Threshold
vs. Temperature
Input Volta g e (V)
Input Threshold
Temperature (oC)
Enable Threshold
3.5
3.0
(C L =3.6nF, V CC =18V)
3.5
3.0
vs. Supply Volta g e
25
20
vs. Supply Volta g e
Min V E N H
2.5
2.0
1.5
Min V IH
Max V IL
2.5
2.0
1.5
Min V IH
Max V IL
15
10
5
0
Max V E N L
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10
15 20 25 30
35
40
0
5
10
15 20 25 30
35
40
8
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
R05
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PDF描述
RSC05DRTN-S93 CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD
EEV-HA0J101WR CAP ALUM 100UF 6.3V 20% SMD
AS1115 DB-WHITE BOARD DEMO AS1115 WHITE
0210490132 CABLE JUMPER 1.25MM .127M 8POS
V375C28C75BG2 CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDD614SI 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063
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IXDD614YI 功能描述:IC LOW SIDE DRIVER 14A TO263-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘,4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?(1.2x1.6) 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1
IXDD630CI 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDD630MCI 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube