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参数资料
| 型号： | IXDD614PI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DVR ULT FAST 14A 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 50ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA357 IXDD614PI-ND |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_614
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
1000
(V CC =35V)
1000
(V CC =18V)
1000
(V CC =12V)
100
10
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
100
10
1
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
100
10
1
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
f=1kHz
1
0.1
0.1
2
4
6
8
10 12 14
16
1 8
2
4
6
8
10 12 14
16
1 8
2
4
6
8
10 12 14
16
1 8
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Load Capacitance
Load Capacitance (nF)
Supply Current vs. Frequency
Load Capacitance (nF)
Supply Current vs. Frequency
1000
(V CC =8V)
1000
(V CC =35V)
1000
(V CC =18V)
f=2MHz
C L =15nF
C L =15nF
100
10
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
100
10
C L =7.5nF
C L =3.6nF
100
10
C L =7.5nF
C L =3.6nF
1
f=10kHz
0.1
0.01
f=1kHz
1
0.1
1
0.1
2
4
6
8
10 12 14
16
1 8
1
10
100 1000
10000
1
10
100 1000
10000
Load Capacitance (nF)
Frequency (kHz)
Frequency (kHz)
1000
100
Supply Current vs. Frequency
(V CC =12V)
C L =15nF
C L =7.5nF
C L =3.6nF
1000
100
Supply Current vs. Frequency
(V CC =8V)
C L =15nF
C L =7.5nF
C L =3.6nF
2.0
1.5
Quiescent Supply Current
vs. Temperature
3.5 V
5 V
10 V
0 V & 1 8V
10
1.0
10
1
1
0.1
0.5
0.0
0.1
1
10
100 1000
Frequency (kHz)
10000
0.01
1
10
100 1000
Frequency (kHz)
10000
-0.5
-40 -20
0
20 40 60 8 0
Temperature (oC)
100 120 140
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
1.4
(V IN =0-5V, f=1kHz, C L =5.4nF, V CC =18V)
-35
(C L =330nF)
45
(C L =330nF)
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.4
0.2
0.0
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10
15 20 25 30
35
40
0
5
10
15 20 25 30
35
40
R05
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
9
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDD614SI | 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDD614SITR | 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
| IXDD614YI | 功能描述:IC LOW SIDE DRIVER 14A TO263-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘，4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?（1.2x1.6） 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1 |
| IXDD630CI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDD630MCI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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