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参数资料
| 型号： | IXDN609SITR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
3 Block Diagrams & Truth Tables
3.1 IXDD609
I N
V CC
3.3 IXDN609
IXD_609
V CC
OUT
I N
OUT
E N
G N D
G N D
IN
0
1
x
EN
1 or open
1 or open
0
OUT
0
1
Z
IN
0
1
OUT
0
1
3.2 IXDI609
V CC
I N
IN
0
1
OUT
1
0
OUT
G N D
6
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXDN614SITR | 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 |
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