参数资料
型号: IXDN609SITR
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 8/14页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC
标准包装: 2,000
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 40ns
电流 - 峰: 9A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 带卷 (TR)
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_609
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
500
400
300
200
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =18V)
300
250
200
150
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =12V)
200
150
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
(V CC =8V)
100
0
50
0
50
0
1000
10000
1000
10000
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
1000
100
C L =10nF
C L =5.4nF
C L =1.5nF
(V CC =18V)
1000
100
C L =10nF
C L =5.4nF
C L =1.5nF
(V CC =12V)
1000
100
C L =10nF
C L =5.4nF
C L =1.5nF
(V CC =8V)
10
10
10
1
1
1
0.1
0.1
1
10
100 1000
10000
0.1
1
10
100 1000
10000
0.01
1
10
100 1000
10000
Frequency (kHz)
Quiescent Supply Current
Frequency (kHz)
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Frequency (kHz)
1.4
1.2
1.0
vs. Temperature
V I N =3.5 V
V I N =5 V
V I N =10 V
0.65
0.60
0.55
(V IN =5V, V CC =18V, f=1kHz, C L =1.5nF)
0. 8
0.50
0.6
0.4
0.2
0.45
0.40
0.0
V I N =0 V & 1 8V
0.35
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Temperature (oC)
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Temperature (oC)
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
(f=422Hz, C L =66nF)
30
25
20
15
10
5
0
(f=422Hz, C L =66nF)
0
5
10 15 20 25
30
35
0
5
10 15 20 25
30
35
Supply Volta g e (V)
Supply Volta g e (V)
8
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料
PDF描述
B32524Q3475K CAP FILM 4.7UF 250VDC RADIAL
3269P-1-104 TRIMMER 100K OHM 0.25W SMD
B32914A3105K CAP FILM 1UF 760VDC RADIAL
R7000605XXUA RECTIFIER 600V 550A
3269P-1-103 TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN609YI 功能描述:IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063
IXDN614CI 功能描述:14A 5PIN TO-220 NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端,独立 输入类型:非反相 延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDN614PI 功能描述:14A 8 PIN DIP NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IXDN614SI 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063
IXDN614SITR 功能描述:14A 8SOIC EXP MTL NON INVERTING RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063