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参数资料
| 型号： | IXFB132N50P3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 132 A, 500 V, 0.039 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | PLASTIC, PLUS264, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | IXFB132N50P3 |
IXFB132N50P3
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Fig. 7. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
VGS - Volts
ID
-
A
m
per
es
TJ = 125C
25C
- 40C
Fig. 8. Transconductance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
ID - Amperes
g
fs
-
S
iemen
s
TJ = - 40C
125C
25C
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
0
50
100
150
200
250
300
350
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
VSD - Volts
IS
-
A
m
p
e
re
s
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
QG - NanoCoulombs
V
GS
-
V
o
lt
s
VDS = 250V
I D = 66A
I G = 10mA
Fig. 11. Capacitance
1
10
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VDS - Volts
C
apa
c
it
a
n
c
e
-
P
icoF
a
rads
f = 1 MHz
Ciss
Crss
Coss
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
1
10
100
1000
10
100
1,000
VDS - Volts
ID
-
A
m
p
e
re
s
TJ = 150C
TC = 25C
Single Pulse
100s
1ms
RDS(on) Limit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH4N250C | 13 A, 2500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| IXGH50N60B4 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| IXGH50N60C4D1 | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| IXGQ50N60C4D1 | 90 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXSP2N100 | 3 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB170N30P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB210N20P | 功能描述:MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB300N10P | 功能描述:MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB30N120P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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