参数资料
型号: IXFB82N60P
厂商: IXYS
文件页数: 5/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264
标准包装: 25
系列: PolarHV™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 82A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫欧 @ 41A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 25V
功率 - 最大: 1250W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: PLUS264?
包装: 管件
IXFB 82N60P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse W idth - Seconds
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
PDF描述
IXFB82N60Q3 MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
IXFC110N10P MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
IXFC13N50 MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
IXFC14N60P MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
IXFC15N80Q MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFB82N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC10N80P 功能描述:MOSFET 5 Amps 800V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC110N10P 功能描述:MOSFET 55 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC12N80P 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V 0.93 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC13N50 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube