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参数资料
| 型号： | IXFH110N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 3mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 157nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 694W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH110N25T
160
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
140
120
160
140
T J = - 40oC
100
80
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
120
100
80
60
40
20
0
25oC
125oC
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 125V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 25A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1
0.1
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH11N80 | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD |
| IXFH120N25T | MOSFET N-CH 250V 120A TO-247 |
| IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD |
| IXFH12N100P | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXFH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH11N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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