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参数资料
| 型号： | IXFH11N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 950 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 11N80
IXFM 11N80
IXFH 13N80
IXFM 13N80
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T J = 25 ° C
V GS = 10V
8V
7V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T J = 25 ° C
V DS = 10V
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
T J = 25 ° C
V GS = 10V
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
V GS = 15V
1.25
1.00
0.75
0.50
I D = 6.5A
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
18
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
16
14
12
10
8
6
13N80
11N80
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
V GS(th)
BV DSS
4
2
0
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH120N25T | MOSFET N-CH 250V 120A TO-247 |
| IXFH12N100F | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD |
| IXFH12N100P | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXFH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH11N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH120N15P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH120N20P_10 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar HiPerFET Power MOSFET |
| IXFH120N25T | 功能描述:MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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