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参数资料
| 型号： | IXFH12N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 463W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH12N100P IXFV12N100P
IXFV12N100PS
12
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
24
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
10
V GS = 10V
8V
20
V GS = 10V
8V
7V
8
6
4
6V
16
12
8
7V
6V
2
0
5V
4
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10
15
20
25
30
12
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value vs.
Junction Temperature
10
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
2.4
8
6
4
2
0
6V
5V
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 12A
I D = 6A
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value vs.
Drain Current
14
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
12
10
8
1.8
1.6
1.4
1.2
T J = 25oC
6
4
2
1.0
0.8
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXFH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N120P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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