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参数资料
| 型号： | IXFH12N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.05 欧姆 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 463W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH12N100P IXFV12N100P
IXFV12N100PS
16
Fig. 7. Input Admittance
18
Fig. 8. Transconductance
14
16
T J = - 40oC
12
10
T J = 125oC
25oC
- 40oC
14
12
10
25oC
125oC
8
8
6
6
4
2
0
4
2
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
40
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
V DS = 500V
I D = 6A
I G = 10mA
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
Ciss
1,000
0.1
100
10
f = 1 MHz
Coss
Crss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_12N100P(75-744)4-01-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| IXFH12N80P | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 |
| IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD |
| IXFH13N100 | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N120P | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N50 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH12N50F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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