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参数资料
| 型号： | IXFH12N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH12N80P IXFQ12N80P
IXFV12N80P IXFV12N80PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
TO-247 (IXFH) Outline
Min. Typ. Max.
g fs
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , Note 1
8
14
S
C iss
2800
pF
1
2
3
? P
C oss
C rss
t d(on)
t r
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I D25
210
19
23
26
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G = 5 Ω (External)
70
25
ns
ns
e
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
Q g(on)
51
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A 1
A 2
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
13
19
nC
nC
A 4.7 5.3
2.2 2.54
2.2 2.6
.185 .209
.087 .102
.059 .098
b 1
b 2
R thJC
R thCS
(TO-247 & TO-3P)
0.21
0.35
° C/W
° C/W
b 1.0 1.4
1.65 2.13
2.87 3.12
C .4 .8
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
.819 .845
.610 .640
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
0.205 0.225
.780 .800
.177
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
? P 3.55 3.65
.140 .144
I S
V GS = 0 V
12
A
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
0.232 0.252
.170 .216
S 6.15 BSC
242 BSC
I SM
V SD
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
36
1.5
A
V
t rr
Q rm
I rm
I S = 12 A, V GS = 0 V
-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
200
0.8
4
250
ns
μ C
Α
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
TO-3P (IXFQ) Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD |
| IXFH13N100 | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 |
| IXFH13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD |
| IXFH14N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N90 | 功能描述:MOSFET 900V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N90Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268 |
| IXFH13N100 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N50 | 功能描述:MOSFET 500V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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