- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录452 > IXFH12N80P (IXYS)MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFH12N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXFH12N80P IXFQ12N80P
IXFV12N80P IXFV12N80PS
12
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
V GS = 10V
24
Fig. 2. Exte nde d Output Char acte r is tics
@ 25 o C
V GS = 10V
10
8
7V
20
16
7V
6V
6
12
4
8
6V
2
0
5V
4
0
5V
0
2
4
6
8
10
12
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
12
V D S - V olts
Fig. 3. Output Char acte r is tics
@ 125 o C
2.6
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
10
8
V GS = 10V
7V
6V
2.4
2.2
2
V GS = 10V
1.8
6
4
1.6
1.4
1.2
I D = 12A
I D = 6A
2
0
5V
1
0.8
0.6
0
4
8
12
16
20
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.5
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
0.5 I D25 V alue vs . I D
14
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Dr ain Cur r e nt vs . Cas e
Te m pe r atur e
2.3
2.1
V GS = 10V
T J = 125 o C
12
10
1.9
8
1.7
6
1.5
1.3
4
1.1
0.9
T J = 25 o C
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXFH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD |
| IXFH13N100 | MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 |
| IXFH13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD |
| IXFH14N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH12N90 | 功能描述:MOSFET 900V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH12N90Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268 |
| IXFH13N100 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH13N50 | 功能描述:MOSFET 500V 13A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。