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参数资料
| 型号： | IXFH6N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 6N90
IXFM 6N90
IXFH 6N100
IXFM 6N100
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
4
6
2600
180
45
35
100
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 4.7 W (External)
40
100
60
110
200
100
ns
ns
ns
Q g(on)
Q gs
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
88
21
130
30
nC
nC
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 19.81 20.32
Inches
Min. Max.
0.780 0.800
Q gd
38
70
nC
B
20.80 21.46
0.819 0.845
R thJC
R thCK
0.25
0.7
K/W
K/W
C
D
E
F
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65 2.13
- 4.5
0.065 0.084
- 0.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
J
K
L
M
1.0 1.4
10.8 11.0
4.7 5.3
0.4 0.8
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
I S
V GS = 0 V
6
A
N
1.5 2.49
0.087 0.102
I SM
V SD
t rr
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
24
1.5
250
400
A
V
ns
ns
TO-204 AA (IXFM) Outline
Q RM
I RM
I F = I S
-di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.5
1.0
7.5
9.0
m C
m C
A
A
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min. Max.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
Q
R
38.61 39.12
19.43 19.94
6.40 9.14
0.97 1.09
1.53 2.92
30.15 BSC
10.67 11.17
5.21 5.71
16.64 17.14
11.18 12.19
3.84 4.19
25.16 25.90
1.520 1.540
- 0.785
0.252 0.360
0.038 0.043
0.060 0.115
1.187 BSC
0.420 0.440
0.205 0.225
0.655 0.675
0.440 0.480
0.151 0.165
0.991 1.020
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH70N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 |
| IXFH74N20 | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
| IXFH75N10Q | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH76N07-11 | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH70N15 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH70N20Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH70N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH74N20 | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH74N20P | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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