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参数资料
| 型号： | IXFH6N90 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 6N90
IXFM 6N90
IXFH 6N100
IXFM 6N100
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
10
9
8
7
V DS = 500V
I D = 3.0A
I G = 10mA
10
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
6
5
1ms
4
3
2
1
0
1
0.1
6 N90 limit
6N100 limit
10ms
100ms
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1
10
100
1000
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
V DS - Volts
Fig.10Source Current vs. Source
to Drain Voltage
2750
2500
2250
2000
1750
1500
1250
C iss
f = 1 MHz
V DS = 25V
9
8
7
6
5
4
1000
750
500
250
0
C oss
C rss
3
2
1
0
T J = 125°C
T J = 25°C
0
5
10
15
20
25
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V CE - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
1.000
D=0.5
0.100 D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
V DS - Volts
0.010
D=0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH70N30Q3 | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 |
| IXFH74N20 | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 |
| IXFH75N10Q | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| IXFH76N07-11 | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH70N15 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH70N20Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH70N30Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH74N20 | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH74N20P | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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