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参数资料
| 型号： | IXFH75N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 67N10
IXFM 67N10
IXFH 75N10
IXFM 75N10
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
200
T J = 25°C
V GS = 10V
9V
150
125
150
100
8V
100
75
50
7V
50
0
6V
5V
25
0
T J = 125°C
T J = 25°C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.4
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
2.50
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.3
1.2
T J = 25°C
V GS = 10V
2.25
2.00
1.75
1.1
1.0
0.9
0.8
V GS = 15V
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
I D = 37.5A
0
20
40
60
80
100 120 140 160
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
80
60
Case Temperature
75N10
67N10
1.2
1.1
1.0
Breakdown and Threshold Voltage
V GS(th)
BV DSS
0.9
40
0.8
20
0
0.7
0.6
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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