参数资料
型号: IXFH75N10
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
产品目录绘图: TO-247AD 3-Leads
标准包装: 30
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫欧 @ 37.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AD
包装: 管件
IXFH 67N10
IXFM 67N10
IXFH 75N10
IXFM 75N10
10
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
9
8
7
V DS = 50V
I D = 37.5A
I G = 1mA
100
Limited by R DS(on)
10μs
100μs
6
5
1ms
4
3
2
1
0
10
1
10ms
100ms
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
10
100
6000
5000
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
150
125
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
4000
3000
f = 1MHz
V DS = 25V
C iss
100
75
2000
1000
0
C oss
C rss
50
25
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
5
10
15
20
25
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V DS - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.0 1
Single pulse
0.001
V SD - Volt
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
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