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参数资料
| 型号： | IXFH76N07-11 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 70V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXFH 76 N06-11
IXFH 76 N06-12
IXFH 76 N07-11
IXFH 76 N07-12
Fig.1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
100
90
80
T J = 25 C
V GS =10V
9V
8V
7V
6V
300
250
T J =25 C
70
200
60
50
40
30
20
5V
150
100
50
T J =150 ° C
T J =100 ° C
10
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2
4
6
8
10
12
1.4
V DS - Volts
Fig. 3 R ds(on) vs. Drain Current
2.25
V GS - Volts
Fig. 4 R DS(ON) Temperature Dependence
1.3
T J = 25 C
2.00
I D = 38A
V GS = 10V
1.2
V GS = 10V
1.75
1.50
1.1
1.25
1.0
0.9
0.8
V GS = 15V
1.00
0.75
0.50
0
50
100
150
200
250
300
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
90
I D - Amperes
Fig. 5 I D vs. Case Temperature
80
T J - Degrees C
Fig. 6 Transconductance
80
70
60
70
60
50
V GS =10V
T J = 25 C
T J = 100 C
50
40
30
20
10
0
40
30
20
10
0
T J = 150 C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
50
100
150
200
250
300
Case Temperature - C
? 2000 IXYS All rights reserved
I D - Amperes
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH7N80 | MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD |
| IXFH7N90Q | MOSFET N-CH 900V 7A TO-247 |
| IXFH80N08 | MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 |
| IXFH80N10 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 |
| IXFH8N80 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFH76N07-11 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXFH76N07-12 | 功能描述:MOSFET 70V 76A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH7N80 | 功能描述:MOSFET 7 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFH7N90 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH7N90Q | 功能描述:MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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