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参数资料
| 型号： | IXFJ40N30 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 11/Oct/2011 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFJ 40N30
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-268 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
22
25
4800
745
280
S
pF
pF
pF
t d(on)
20
30
ns
All metal area are
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 2 W (External)
60
75
45
177
90
100
90
200
ns
ns
ns
nC
solder plated
1 - gate
2 - drain (collector)
3 - source (emitter)
4 - drain (collector)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
28
78
50
105
nC
nC
Dim.
A
A1
Inches
Min Max
.193 .201
.106 .114
Millimeters
Min Max
4.90 5.10
2.70 2.90
R thJC
R thCK
0.25
0.42
K/W
K/W
b
b2
C
C2
.045
.075
.016
.057
.057
.083
.026
.063
1.15
1.90
.040
1.45
1.45
2.10
.065
1.60
D
D1
.543
.488
.551
.500
13.80
12.40
14.00
12.70
E
.624 .632
15.85 16.05
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
E1
e
H
L
.524 .535
.215 BSC
1.365 1.395
.780 .800
13.30 13.60
5.45 BSC
34.67 35.43
19.81 20.32
L1
.079
.091
2.00
2.30
I S
V GS = 0 V
40
A
L2
.039
.045
1.00
1.15
I SM
Repetitive;
160
A
pulse width limited by T JM
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
1.5
V
t rr
I F = I S , -di/dt = 100 A/ m s,
V R = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
350
ns
ns
characteristic curves are located in the IXFH 40N30 data sheet.
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK100N10 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA |
| IXFK100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXFK110N07 | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
| IXFK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK100N10 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N-10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
| IXFK100N25 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK105N07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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