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参数资料
型号： IXFK120N20
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
产品目录绘图： TO-264(AA) Package
标准包装： 25
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 17 毫欧 @ 60A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 9100pF @ 25V
功率 - 最大： 560W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264AA
包装： 管件
IXFK 120N20
IXFX 120N20
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
PLUS247 TM (IXFX) Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
Note 1
40
77
S
C iss
9100
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 ? (External),
2200
1000
40
65
110
35
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
300
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
50
170
nC
nC
A
A 1
A 2
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
.190 .205
.090 .100
.075 .085
b
1.14 1.40
.045 .055
R thJC
R thCK
0.15
0.22
K/W
K/W
b 1
b 2
C
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
.075 .084
.115 .123
.024 .031
D
E
e
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
L
L1
Q
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
.780 .800
.150 .170
.220 .244
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
R
4.32 4.83
.170 .190
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
120
480
A
A
TO-264 AA Outline
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
0.8
8
1.5
250
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Dim.
Millimeter
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
T
1.57 1.83
.062 .072
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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参数描述
IXFK120N20P 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK120N25P 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK120N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK120N30T 功能描述:MOSFET 120A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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