- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK120N20 (IXYS)MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK120N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 300nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 560W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 120N20
IXFX 120N20
Fig. 1. Output Characteristics at 25 o C
Fig. 2. Output Characteristics at 125 o C
160
140
T J = 25 O C
V GS = 10V
9V
8V
140
120
T J = 125 O C
V GS = 10V
9V
8V
7V
120
7V
100
100
80
6V
80
60
6V
60
40
40
5V
20
0
5V
20
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.0
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(ON) vs. Drain Current
3
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(ON) vs. T J
3.5
3.0
V GS = 10V
T J = 125 O C
V GS = 10V
I D = 120A
2
2.5
2.0
1.5
1.0
T J = 25 O C
1
I D = 60A
0.5
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
I D - Amperes
Fig. 5. Drain vs. Case Temperature
160
140
120
100
80
120
100
80
60
T J - Degrees C
Fig. 6. Admittance Curves
60
40
20
40
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -40 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
? 2002 IXYS All rights reserved
T C - Degrees C
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| IXFK140N20P | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 |
| IXFK140N30P | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 |
| IXFK150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| IXFK150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N30T | 功能描述:MOSFET 120A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。