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参数资料
| 型号： | IXFK120N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 散装 |
IXFH120N20P
IXFK120N20P
120
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
270
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
100
V GS = 10V
9V
8V
240
210
V GS = 10V
9V
80
60
7V
180
150
120
8V
40
90
7V
20
0
6V
5V
60
30
0
6V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
120
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
100
V GS = 10V
9V
8V
3
V GS = 10V
2.5
80
60
7V
2
I D = 120A
I D = 60A
40
20
0
6V
5V
1.5
1
0.5
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.5
T J = 175 o C
80
External Lead Current Limit
70
3
60
2.5
2
V GS = 15V
V GS = 10V
50
40
30
1.5
20
1
0.5
T J = 25 o C
10
0
0
30
60
90
120 150 180 210 240 270 300
I D - Amperes
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 20109 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
| IXFK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| IXFK140N20P | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 |
| IXFK140N30P | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 |
| IXFK150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N30T | 功能描述:MOSFET 120A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK140N20P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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