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参数资料
| 型号： | IXFK120N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 散装 |
IXFH120N20P
IXFK120N20P
180
Fig. 7. Input Adm ittance
90
Fig. 8. Transconductance
80
150
70
120
60
50
90
40
T J = -40 o C
25 o C
60
30
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
30
20
10
0
150 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
30
60
90
120
150
180
210
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs .
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
300
250
200
150
100
T J = 150 o C
8
7
6
5
4
3
2
I D = 60A
I G = 10mA
50
0
T J = 25 o C
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Are a
T J = 175 o C
R DS(on) Limit
T C = 25 o C
10,000
C iss
25μs
1,000
100
C oss
C rss
100
10
DC
100μs
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
| IXFK120N25 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| IXFK140N20P | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 |
| IXFK140N30P | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 |
| IXFK150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK120N25 | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK120N30T | 功能描述:MOSFET 120A 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK140N20P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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