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参数资料
| 型号： | IXFK20N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 20N100
IXFX 20N100
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 deg. C
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
35
30
25
V GS = 10V
6V
5V
22
20
18
16
V GS = 10V
5V
14
20
15
12
10
8
10
6
4V
5
0
4V
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35
40
2.8
V D S - Volts
Fig. 3. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
2.6
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
2.6
V GS = 10V
2.4
V GS = 10V
2.4
2.2
2.2
T J = 125oC
2
1.8
1.6
1.4
I D = 20A
I D = 10A
2
1.8
1.6
1.2
1
0.8
0.6
0.4
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
35
24
22
20
18
16
14
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Drain Current vs. Case
Tem perature
30
25
20
I D - Amperes
Fig. 6. Input Adm ittance
12
10
8
6
4
2
0
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
3.5
4
4.5
5
5.5
T C - Degrees Centigrade
V G S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK20N120P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK210N17T | 功能描述:MOSFET 210A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK21N100Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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