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参数资料
| 型号： | IXFK20N120 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 20N100
IXFX 20N100
55
50
45
Fig. 7. Transconductance
70
60
Fig. 8. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
40
35
30
25
T J = -40oC
25oC
125oC
50
40
30
20
15
10
5
0
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
0
5
10
15
20
25
30
35
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10000
V S D - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V DS = 600V
I D = 10A
I G = 10mA
1000
100
10
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q G - nanoCoulombs
V D S - Volts
Fig. 11. Maxim um Transient Therm al Resistance
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
1
10
Pulse Width - milliseconds
100
1000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
| IXFK220N15P | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 |
| IXFK220N17T2 | MOSFET N-CH 170V 220A TO-264 |
| IXFK230N20T | MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 |
| IXFK240N15T2 | MOSFET N-CH 150V 240A TO264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK20N120P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK20N80Q | 功能描述:MOSFET 20 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK210N17T | 功能描述:MOSFET 210A 170V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK21N100F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK21N100Q | 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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