- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录453 > IXFK26N100P (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFK26N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 390 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 197nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 780W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK26N100P
IXFX26N100P
28
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
70
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
24
20
16
12
8
4
0
9V
8V
7V
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
5
10
15
20
25
30
28
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 13A Value
vs. Junction Temperature
24
V GS = 10V
9V
2.8
2.6
V GS = 10V
2.4
20
2.2
2.0
I D = 26A
16
12
1.8
1.6
1.4
I D = 13A
8
8V
1.2
1.0
4
0
7V
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 13A Value
vs. Drain Current
28
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
24
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
20
16
12
8
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
4
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION,All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK26N60Q | MOSFET N-CH 600V 26A TO-264 |
| IXFK27N80Q | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264 |
| IXFK27N80 | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA |
| IXFK30N110P | MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264 |
| IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK26N120P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK26N60Q | 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK26N90 | 功能描述:MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK27N80 | 功能描述:MOSFET 800V 27A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK27N80Q | 功能描述:MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。