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参数资料
| 型号： | IXFK36N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 102nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 650W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFH 36N60P IXFK 36N60P
IXFT 36N60P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 AD (IXFH) Outline
g fs
C iss
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
25
39
5800
S
pF
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
570
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
30
30
pF
ns
t r
t d(off)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 I D25
R G =2 ? (External)
25
80
ns
ns
t f
22
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
102
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
TO-247
TO-264
34
36
0.21
0.15
nC
nC
0.19 ° C/W
° C/W
° C/W
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V
0.8
6.0
36
80
1.5
200
A
A
V
ns
μ C
A
S 6.15 BSC
TO-264 (IXFK) Outline
242 BSC
TO-268 (IXFT)Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK36N60 | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA |
| IXFK40N90P | MOSFET N-CH TO-264 |
| IXFK420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 |
| IXFK44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 |
| IXFK44N55Q | MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK38N80Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class |
| IXFK40N50Q2 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
| IXFK40N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFK40N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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