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参数资料
| 型号： | IXFK44N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 650W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFH 44N50P
IXFK 44N50P
IXFT 44N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 500 V
= 44 A
≤ 140 m ?
≤ 200 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GSM
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Transient
Continuous
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 40
± 30
44
110
44
55
1.7
V
V
A
A
A
mJ
J
TO-264 (IXFK)
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 ?
10
V/ns
G
D
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
650
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
TO-268 (IXFT)
T L
T SOLD
M d
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic case for 10 s
Mounting torque (TO-247)
300 ° C
260 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
G
S
(TAB)
Weight
TO-247
TO-268
TO-264
6
5
10
g
g
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Features
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
500
3.0
5.0
V
V
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 10
nA
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
500
μ A
μ A
Advantages
l
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
140 m ?
l
l
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99366E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK44N55Q | MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 |
| IXFK44N60 | MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA |
| IXFK44N80P | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 |
| IXFK48N50Q | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 |
| IXFK48N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK44N50Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK44N55Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 550V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N60 | 功能描述:MOSFET DIODE Id44 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N80P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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