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参数资料
| 型号： | IXFK44N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 650W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFH44N50P IXFK 44N50P
IXFT 44N50P
45
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
100
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
40
35
30
25
V GS = 10V
7V
6V
90
80
70
60
50
V GS = 10V
8V
7V
20
15
10
40
30
20
6V
5
0
5V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
45
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 22A Value
v s. Junction Temperature
40
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
35
30
6V
2.4
25
20
2
1.6
I D = 44A
I D = 22A
15
10
5
0
5V
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 22A Value
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0.8
0
10
20
30
40 50
I D - Amperes
60
70
80
90
100
0
-50
-25
0
25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK44N55Q | MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 |
| IXFK44N60 | MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA |
| IXFK44N80P | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 |
| IXFK48N50Q | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 |
| IXFK48N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK44N50Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK44N55Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 550V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N60 | 功能描述:MOSFET DIODE Id44 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N80P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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