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参数资料
型号： IXFK73N30Q
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 300V 73A TO-264
标准包装： 25
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 73A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 45 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 195nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 5400pF @ 25V
功率 - 最大： 500W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264
包装： 管件
IXFK 73N30Q
IXFX 73N30Q
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
PLUS 247 TM Outline (IXFX)
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
Note 1
30
55
S
C iss
5400
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
1300
370
37
36
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
R G = 1 ? (External)
82
12
195
ns
ns
nC
Terminals:
Dim.
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Millimeter Inches
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
42
82
0.15
0.22
nC
nC
K/W
K/W
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
Min. Max.
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
C
D
E
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
.024 .031
.819 .840
.620 .635
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
e
L
L1
Q
R
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
0.8
7
73
292
1.5
250
A
A
V
ns
μ C
A
TO-264 Outline (IXFK)
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Min.
Inches
Max.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料
PDF描述
IXFK73N30 MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
IXFK80N20 MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA
IXFK80N50Q3 MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
IXFK88N20Q MOSFET N-CH 200V 88A TO-264
IXFK90N20 MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFK74N50P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK78N50P3 功能描述:MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK80N10 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264AA
IXFK80N15Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK80N20 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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