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参数资料
| 型号： | IXFK73N30Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 73A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 195nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK 73N30Q
IXFX 73N30Q
80
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
180
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
60
V GS = 10V
9V
8V
7V
150
120
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
40
90
60
6V
20
0
5V
30
0
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
3
6
9
12
15
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
2.5
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
V GS = 10V
9V
2.2
V GS = 10V
60
8V
7V
6V
1.9
1.6
I D = 73A
40
20
5V
1.3
1
I D = 36.5A
0.7
0
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.1
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
70
60
50
40
30
20
10
0
0
30
60
90
120
150
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK73N30 | MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA |
| IXFK80N20 | MOSFET N-CH 200V 80A TO-264AA |
| IXFK80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 80A TO-264 |
| IXFK88N20Q | MOSFET N-CH 200V 88A TO-264 |
| IXFK90N20 | MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK74N50P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK78N50P3 | 功能描述:MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264AA |
| IXFK80N15Q | 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK80N20 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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