- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录454 > IXFL70N60Q2 (IXYS)MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFL70N60Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 92 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 265nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFL70N60Q2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS264 TM (IXFL) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 10V, I D = 35A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 35A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 35A
36
50
12
1340
345
26
25
60
12
265
57
120
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Note: Bottom heatsink meets
R thJC
0.35 ° C /W
R thCS
Source-Drain Diode
0.15
° C /W
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
V GS = 0V
70
A
I SM
V SD
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
280
1.5
A
V
Ref: IXYS CO 0128
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, V GS = 0V
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V
1.2
8.0
250
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2 %.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL82N60P | MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 |
| IXFM24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-204AE |
| IXFN100N10S3 | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B |
| IXFN100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B |
| IXFN100N50P | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL82N60P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL9N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254 |
| IXFLXXXX | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFM10N100 | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。