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参数资料
| 型号： | IXFL70N60Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 92 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 265nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFL70N60Q2
70
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
140
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
60
50
40
V GS = 10V
7V
6V
120
100
80
V GS = 10V
7V
6V
30
20
5V
60
40
10
0
20
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8 10 12
14
16
18
20
70
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value vs.
Junction Temperature
60
50
V GS = 10V
7V
6V
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 70A
40
30
20
10
0
5V
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
I D = 35A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value vs. I D
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 1 0V
T J = 1 25 o C
35
30
25
1.8
1.6
1.4
20
15
1.2
1.0
0.8
0.6
T J = 25 o C
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL82N60P | MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 |
| IXFM24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-204AE |
| IXFN100N10S3 | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B |
| IXFN100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B |
| IXFN100N50P | MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL80N50Q2 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 500V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL82N60P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL9N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-254 |
| IXFLXXXX | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFM10N100 | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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