收藏本站
参数资料
型号： IXFN100N10S3
厂商： IXYS
文件页数： 2/2页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
标准包装： 10
系列： HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 15 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 4500pF @ 25V
功率 - 最大： 360W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装： SOT-227B
包装： 管件
IXFN 100N10S1
IXFN 100N10S2
IXFN 100N10S3
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Eq g =Z=OR ° `X=ì??é??=?íüéê?á?é=?éé?á?áé?F
min. typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
V DSS
s dp Z=M=sX=f a =Z=P=?^
s dp Z=M=sX=f a =Z=ORM= μ ^
p N NMM
pOLpP NMM
s
s
V GS(th)
I GSS
s ap Z=s dp X=f a =Z=Q=?^
s dp Z= ± OM=s a` X=s ap =Z=M
O
Q
± NMM
s
?^
I DSS
s ap Z=s app X=s dp =Z=M=s
=q g==== =Z=NOR ° `
pN
pOLpP
pN
O
OR
OM
?^
μΑ
?^
jQ=??êé??=EQ?F=?ìéé?áé?
pOLpP
N
?^
aá?K
já??á?éíéê
f??üé?
R DS(on)
s dp Z=NM=sX=f a =Z=MKR==f aOR X=k?íé=N
NR
? ?
^
já?K
PNKRM
j~?K
PNKUU
já?K
NKOQM
j~?K
NKORR
g fs
C iss
C oss
s ap Z=NM=sX=f a =Z=MKR=f aOR X=éì??é=íé?í
s dp ==Z=M=sX=s ap =Z=OR=sX=?=Z=N=jeò
pN
PM
QR
QRMM
NVMM
p
éc
éc
_
`
a
b
c
d
TKUM
QKMV
QKMV
QKMV
NQKVN
PMKNO
UKOM
QKOV
QKOV
QKOV
NRKNN
PMKPM
MKPMT
MKNSN
MKNSN
MKNSN
MKRUT
NKNUS
MKPOP
MKNSV
MKNSV
MKNSV
MKRVR
NKNVP
C rss
t d(on)
pOLpP
NSMM
UTM
PM
éc
éc
??
e
g
h
i
j
PUKMM
NNKSU
UKVO
MKTS
NOKSM
PUKOP
NOKOO
VKSM
MKUQ
NOKUR
NKQVS
MKQSM
MKPRN
MKMPM
MKQVS
NKRMR
MKQUN
MKPTU
MKMPP
MKRMS
t r
s dp Z=NM=sX=s ap =Z=MKR=s app X=f a =Z=MKR=f aOR
TM
??
k
l
ORKNR
NKVU
ORKQO
OKNP
MKVVM
MKMTU
NKMMN
MKMUQ
t d(off)
t f
o d
Z=NKR ? =EB?íéê?~?F
NMM
PM
??
??
m
n
o
QKVR
OSKRQ
PKVQ
RKVT
OSKVM
QKQO
MKNVR
NKMQR
MKNRR
MKOPR
NKMRV
MKNTQ
p
QKTO
QKUR
MKNUS
MKNVN
Q g(on)
Q gs
s dp Z=NM=sX=s ap =Z=MKR==s app X=f a =Z=MKR==f aOR
NUM
PS
?`
?`
q
r
OQKRV
JMKMR
ORKMT
MKN
MKVSU
JMKMMO
MKVUT
MKMMQ
Q gd
VR
?`
V SD
t rr
Q RM
I RM
R thJC
R thCK
f c =Z=NMM^X=s dp =Z=M=sX=k?íé=N=EpOI=pPF
f c =Z=OR=^XJ?áL?í=Z=NMM=^L μ ?X=s o =Z=OR=s
MKU
S
MKMR
NKR
OMM
MKPR
s
??
μ `
^
=hLt
hLt
Schottky Diode
Characteristic Values
Eq g =Z=OR ° `I=ì??é??=?íüéê?á?é=?éé?á?áé?F
Symbol
I R
Test Conditions
s o= Z=s ooj
q g= Z=NOR ° `X=s o= Z=s ooj
min.
typ.
max.
==O
OM
?^
?^
V F
f c =Z=SM=^X s dp =Z=M=sX=k?íé=N
f c =Z=SM=^X s dp =Z=M=s
f c =Z=NOM=^
q g= Z= NOR ° `
q g= Z= NOR ° `
MKUS
MKTP
MKVP
s
s
s
R thJC
=MKU hLt
R thJK
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
MKN
hLt
fuvp=jlpcbqp=~??=fd_q?=~êé=???éêé?=?ó=??é=?ê=??êé=??=íüé=??????á??=rKpK=é~íé?í?W
QIUPRIRVO
QIURMIMTO
QIUUNINMS
QIVPNIUQQ
RIMNTIRMU
RIMPQITVS
RIMQVIVSN
RIMSPIPMT
RINUTINNT
RIOPTIQUN
RIQUSITNR
RIPUNIMOR
相关PDF资料
PDF描述
IXFN100N25 MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
IXFN100N50P MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
IXFN100N50Q3 MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
IXFN120N20 MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
IXFN130N30 MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
相关代理商/技术参数
参数描述
IXFN100N20 功能描述:MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN100N25 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN100N50P 功能描述:MOSFET 500V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN100N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN102N30P 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*