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参数资料
| 型号： | IXFN160N30T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 335nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 28000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 900W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN160N30T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
140
7V
7V
250
120
100
80
60
6V
5.5V
200
150
100
6V
5.5V
40
50
20
0
5V
0
5V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
160
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Junction Temperature
140
V GS = 10V
7V
2.6
V GS = 10V
2.4
120
6V
2.2
100
80
5V
2.0
1.8
1.6
1.4
I D = 160A
I D = 80A
60
1.2
40
1.0
0.8
20
0.6
0
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
T J = 125oC
120
100
80
60
1.2
1.0
T J = 25oC
40
20
0.8
0.6
0
0
40
80
120
160
200
240
280
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN170N30P | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
| IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B |
| IXFN180N20 | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
| IXFN180N25T | MOSFET N-CH 155A 250V SOT-227 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN16N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN170N10 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN170N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXFN170N30P | 功能描述:MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN17N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
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