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参数资料
| 型号： | IXFN180N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 680W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 180N15P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
SOT-227B Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 10 V; I D = 90 A, pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 90 A
R G = 3.3 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 90 A
55
86
7000
2250
515
30
32
150
36
240
55
140
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.22 ° CW
R thCS
0.05
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
180
380
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25 A
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
0.6
6
200 ns
μ C
Α
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN180N20 | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
| IXFN180N25T | MOSFET N-CH 155A 250V SOT-227 |
| IXFN200N07 | MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B |
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| IXFN20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN180N20 | 功能描述:MOSFET 200V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN180N20 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:700W ;RoHS Compliant: Yes |
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| IXFN185N10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) |
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