- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录455 > IXFN200N10P (IXYS)MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 680W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
I D25
Polar TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
IXFN 200N10P
V DSS = 100 V
= 200 A
R DS(on) ≤ 7.5 m Ω
t rr ≤ 150 ns
Avalanche Rated
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
Transient
100
100
± 20
± 30
V
V
V
V
G
S
I D25
I D(RMS)
T C = 25 ° C
External lead current limit
200
100
A
A
D
S
I DM
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
400
A
G = Gate
D = Drain
I AR
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
M d
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS, T = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA, T=1s
Mounting torque, Terminal connection torque
60
100
4
10
680
-55 ... +175
175
-55 ... +150
2500
3000
1.5/13
30
A
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
V~
V~
lb.in.
g
S = Source
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
100 V
?
?
?
?
DC-DC converters
Synchronous rectification
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0
V DS = V DSS, V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 175 ° C
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
V GS = 15 V, I D = 400A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
3.0
5.5
5.0
± 100
25
500
2.5
7.5
V
nA
μ A
μ A
mA
m Ω
m Ω
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
? Low voltage relays
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99239E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| IXFN20N120 | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| IXFN210N20P | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B |
| IXFN21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
| IXFN230N10 | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN20N120 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN20N120P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN210N20P | 功能描述:MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN21N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。