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参数资料
| 型号： | IXFN200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 680W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 200N10P
300
250
Fig. 7. Input Adm ittance
140
120
Fig. 8. Trans conductance
200
100
T J = -40 o C
150
80
60
25 o C
150 o C
100
T J = 150 o C
25 o C
40
50
0
-40 o C
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
50
100
150
200
250
300
350
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
9
V DS = 50V
300
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 100A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig . 1 2 . Fo r w a r d - Bia s
S a f e O p e r a t in g A r e a
10,000
f = 1MH z
C is s
R D S (o n ) L im it
T J = 1 7 5 o C
T C = 2 5 o C
100μs
1,000
100
C os s
C rs s
100
10
DC
1m s
10m s
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D
S
- V o lts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| IXFN20N120 | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| IXFN210N20P | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B |
| IXFN21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
| IXFN230N10 | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN20N120 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN20N120P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN210N20P | 功能描述:MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN21N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) |
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