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参数资料
| 型号： | IXFN200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 680W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN 200N10P
200
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
V GS = 10V
350
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
V GS = 10V
175
150
125
100
9V
8V
300
250
200
9V
8V
150
75
50
7V
100
7V
25
0
6V
50
0
6V
0
0.2
0.4
0.6 0.8
V D S - V olts
1
1.2
1.4
1.6
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3
V D S - V olts
3.5
4
4.5
5
200
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 150 o C
2.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 100A
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
175
150
V GS = 10V
9V
8V
2.2
2
V GS = 10V
1.8
125
1.6
I D = 200A
100
75
50
25
0
7V
6V
5V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 100A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.4
2.2
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to I D = 100A
V alue vs . Drain Curr e nt
12 0
T J - Degrees Centigrade
Fig . 6. Dr ain C u r r e n t vs . C as e
T e m p e r atu r e
Ex ternal Lead Current limit
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 10V
V GS = 15V - - - -
T J = 175 o C
T J = 25 o C
10 0
80
60
40
20
0.8
0.6
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN20N120P | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| IXFN20N120 | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| IXFN210N20P | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B |
| IXFN21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B |
| IXFN230N10 | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN20N120 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN20N120P | 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN210N20P | 功能描述:MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN21N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) |
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