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参数资料
| 型号： | IXFN360N15T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 310A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 715nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 47500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1070W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN360N15T2
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
200
180
450
400
T J = - 40oC
160
140
120
100
80
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
350
300
250
200
150
100
50
0
25oC
150oC
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
300
250
200
150
T J = 150oC
8
7
6
5
4
I D = 180A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
100
200
300
400
500
600
700
800
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
Ciss
100.0
External Lead Limit
100μs
10,000
Coss
1,000
10.0
1ms
f = 1 MHz
Crss
1.0
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
100
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1,000
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_360N15T2 (9V)08-19-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN36N100 | MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B |
| IXFN36N110P | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B |
| IXFN38N100P | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| IXFN40N110P | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B |
| IXFN40N90P | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN36N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN36N110P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN36N60 | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100P | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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