- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录455 > IXFN36N110P (IXYS)MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFN36N110P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1100V（1.1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
OBSOLETE
Polar TM HiPerFET TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFN36N110P
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
1100V
36A
240m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
miniBLOC, SOT-227
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
1100
1100
± 30
± 40
V
V
V
V
E153432
G
S
I D25
I DM
I AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
36
110
18
2
A
A
A
J
G = Gate
S = Source
D
D = Drain
S
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
20
1000
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Either Source terminal S can be used as the
Source terminal or the Kelvin Source (gate
return) terminal.
Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets
V ISOL
50/60Hz, RMS
I ISOL ≤ 1mA
t = 1min
t = 1s
2500
3000
V~
V~
UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride
isolation
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13
1.3/ 11.5
30
Nm/lb.in.
Nm/lb.in.
g
? Fast recovery diode
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
? Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? Space savings
? High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
1100
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.5
6.5
± 300
50
4
V
nA
μ A
mA
Applications:
High Voltage Switched-mode and
resonant-mode power supplies
High Voltage Pulse Power Applications
High Voltage Discharge circuits in
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
240
m Ω
Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF
Generators
High Voltage DC-DC converters
High Voltage DC-AC inverters
? 2011 IXYS Corporation, All rights reserved
DS99902OBS (05/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN38N100P | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| IXFN40N110P | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B |
| IXFN40N90P | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| IXFN420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 |
| IXFN44N100P | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN36N60 | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100P | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。