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参数资料
| 型号： | IXFN36N110P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1100V（1.1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
OBSOLETE
IXFN36N110P
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
40
90
35
30
25
V GS = 10V
7V
80
70
60
V GS = 10V
8V
7V
50
20
15
10
6V
40
30
20
6V
5
0
5V
10
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
5
10
15
20
25
30
40
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 18A Value
vs. Junction Temperature
35
30
V GS = 10V
8V
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
2.2
25
7V
2.0
20
15
10
6V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
I D = 36A
I D = 18A
5
0
5V
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 18A Value
vs. Drain Current
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
35
30
25
1.8
20
1.6
15
1.4
1.2
10
1.0
0.8
T J = 25oC
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS Corporation, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN38N100P | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| IXFN40N110P | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B |
| IXFN40N90P | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| IXFN420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 |
| IXFN44N100P | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN36N60 | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100P | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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