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参数资料
| 型号： | IXFN36N110P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1100V（1.1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
Fig. 7. Input Admittance
OBSOLETE
IXFN36N110P
Fig. 8. Transconductance
65
60
55
80
70
50
45
40
35
30
25
T J = 125oC
25oC
- 40oC
60
50
40
30
T J = - 40oC
25oC
125oC
20
15
10
5
0
20
10
0
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
10
20
30
40
50
60
70
100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
V DS = 550V
I D = 18A
I G = 10mA
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
100,000
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0.100
1,000
Coss
0.010
100
10
f = 1 MHz
Crss
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_36N110P(99) 04-01-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN38N100P | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| IXFN40N110P | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B |
| IXFN40N90P | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| IXFN420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 |
| IXFN44N100P | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN36N60 | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100P | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFN38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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