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参数资料
| 型号： | IXFN64N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN64N50P
70
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
V GS = 10V
160
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
V GS = 10V
60
50
40
8V
7V
6V
140
120
100
8V
7V
80
30
60
20
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
4
8
12
16
20
24
64
V D S - V olts
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 125 o C
3.1
V D S - V olts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 32A
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
56
48
40
32
24
16
8
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 64A
I D = 32A
0
2
4
6 8
V D S - V olts
10
12
14
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
Fig . 6. Dr ain Cu r r e n t vs . Cas e
3.4
I D = 32A V alue vs . Dr ain Cur re nt
70
T e m p e r atu r e
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
V GS = 10V
T J = 125oC
60
50
40
30
20
1.3
1
0.7
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60 80 100
I D - A mperes
120
140
160
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN64N60P | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 |
| IXFN70N60Q2 | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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