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参数资料
| 型号： | IXFN64N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 61A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN64N50P
90
80
70
60
Fig. 7. Input Adm ittance
80
70
60
50
Fig. 8. Trans conductance
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
40
30
20
10
0
T J = -40oC
25oC
125oC
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
200
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
175
150
125
100
75
9
8
7
6
5
4
V DS = 250V
I D = 32A
I G = 10m A
50
25
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
100000
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C is s
Fig . 1 2 . M a x im u m T r a n s ie n t T h e r m a l
Re s is t a n c e
1.000
0.100
1000
C os s
0.010
100
C rss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pu ls e W id th - S e c o n d s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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